|
Поиск datasheet (техническая документация) на электронные компоненты (микросхемы, транзисторы, диоды и др.) |
Поиск по: REF195FSZ, SO8
Искать " REF195FSZ, SO8" в других поисковых системах: GoogleREF195FSZ, SO8Информация по: REF195FSZ, SO8- Datasheet AUIRF7341Q - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8
Наименование модели: AUIRF7341Q Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, NN CH, 55 В, 5.1 А, SO8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: AUTOMOTIVE MOSFET PD - 96362A AUIRF7341Q HEXFET® Power MOSFET 8 7 Спецификации: Полярность транзистора: Dual N Channel Continuous Drain Current Id: 5.1 А Drain Source Voltage Vds: 55 В On Resistance Rds(on): 0.043 Ом Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В Рассеиваемая мощность: 2.4 Вт Рабочий диапазон температрур: -55°C .. +175°C ... - Datasheet IRF7809AVPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, SO-8
Наименование модели: IRF7809AVPBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, N, SO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 95212A IRF7809AVPbF · · · · · N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications · 100% Tested for Rg · Lead-Free Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an ... - Datasheet IRF7343PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8
Наименование модели: IRF7343PBF Производитель: International Rectifier Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8 Скачать Data Sheet Краткое содержание документа: PD - 92547 IRF7343PbF l l l l l l Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Fully Avalanche Rated Lead-Free HEXFET® Power MOSFET Данные для моделирования Спецификации: Полярность транзистора: N and P Channel Continuous Drain Current Id: 4.7 А Drain Source Voltage Vds: 55 В ...
|